混合内存立方体 (HMC)是一种高性能 RAM 接口硅通孔 (TSV) 技术，通过将多个存储器阵列相互连接起来。 它使用标准 DRAM 单元来实现内存。 高带宽内存 (HBM) 也是 RAM 接口，但用于 3D 堆栈 SDRAM。 它与网络设备和图形加速器结合使用。 两种内存总线都能够以更低的功耗提供更高的带宽。 广泛应用于图形设计、网络等领域。 HMC 和 HBM 适用于大数据应用程序，因为它们提供超快速的存储执行。 这些进步还充分满足了大数据应用程序的呈现、传输速度和持久性要求。
从地域上看，北美占据最大的市场份额——2022 年为 42.98%。
Samsung是混合内存立方体 (HMC) 和高带宽内存 (HBM) 市场的主要参与者之一，到 2022 年占有 54.15% 的市场份额。
Samsung
Samsung Group是一家韩国跨国制造集团，总部位于韩国首尔三星城。Samsung承诺通过业内最广泛的产品组合提供尖端组件服务、TCO 解决方案和技术服务，并通过在整个产品开发过程中利用资源与客户和合作伙伴灵活协作来增加价值。
ADM and SK Hynix
Advanced Micro Devices, Inc. (AMD) 是一家美国跨国半导体公司，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉，为商业和消费市场开发计算机处理器和相关技术。 SK hynix Inc.是韩国动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片和闪存芯片的存储器半导体供应商。 Advanced Micro Devices 是目前唯一一家使用其与 SK 海力士和其他合作伙伴共同开发的高带宽内存的公司。
按类型划分，高带宽内存 (HBM) 细分市场在 2022 年占据了最大的市场份额。
混合内存立方体 (HMC)
作为基于 TSV 的堆叠式 DRAM 内存的高性能 RAM 接口，HMC 将传统内存的性能显着提高到一个新的水平，同时大幅降低功耗和成本。 与 DDR3 模块相比，HMC 可提供高 15 倍的性能，同时每比特能耗降低 70%。 HMC 的其他关键属性包括高每比特密度和减小的外形尺寸，从而大大增加了总内存空间。 HMC 设备通常需要比目前可用的 RDIMM 少 90% 的空间。 凭借其高度创新的性能属性，HMC 可以提供一个资源丰富的平台，将网络系统性能增强到新的 100G 和更高的基础设施，同时跟上 CPU 和 GPU 的进步。 目前正在考虑将 HMC DRAM 内存用于图形卡、数据中心基础设施和寻求带宽、外形尺寸和能效的高性能计算应用等应用中。
高带宽内存 (HBM)
同样，高带宽内存 (HBM) 是用于 3D 堆叠 DRAM 内存的高性能 RAM 接口。 与传统的 DRAM 解决方案相比，HBM 采用革命性的垂直堆叠配置，由 TSV 技术实现，大大提高了性能优势。 HBM 技术的主要优势包括显着提高内存带宽、显着降低内存子系统功率和更小的占用空间，所有这些都可能引发 DRAM 内存垂直领域的大规模、全行业创新。 HBM 利用 TSV 技术和微凸块互连基础芯片和 DRAM 芯片，以构建每个设备 1GB 的 DRAM 密度。 该模型可能会为 CPU、GPU、FPGA 和 ASIC 带来新的效率水平。
按应用划分，市场最大的细分市场是图形，到 2022 年市场份额为 41.69%。
基于应用，市场细分为图形、高性能计算、网络和数据中心。 它与高性能图形加速器、网络设备、高性能数据中心 AI ASIC 和 FPGA 以及一些超级计算机（如 NEC SX-Aurora TSUBASA 和 Fujitsu A64FX）结合使用。
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http://www.lstxf.com/reports/1246746-hybrid-memory-cube--hmc--and-high-bandwidth-memory--hbm--market-report.html
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