技术持续革新，3D NAND闪存市场空间将加速释放

3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起以解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。它的概念其实非常简单:不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

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平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。而新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，且基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

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